Το sk hynix ξεκινά την πρώτη μαζική παραγωγή του πρώτου 128-στρώματος 4δ nand στον κόσμο techpowerup

Η SK Hynix ξεκινάει την παραγωγή του πρώτου 128-Layer 4D NAND στον κόσμο

SK Hynix Inc. announced today that it has developed and starts mass-producing the world's first 128-Layer 1 Tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND Flash, only eight months after the Company announced the 96-Layer 4D NAND Flash last year.

οι δημιουργοί των παραθύρων ενημερώνουν το stutter
Το τσιπ NAND 128-Layer 1 Tb προσφέρει την υψηλότερη κατακόρυφη στοίβαξη του κλάδου με περισσότερα από 360 δισεκατομμύρια NAND κελιά, καθένα από τα οποία αποθηκεύει 3 μπιτ ανά τσιπ. Για να το πετύχει αυτό, η SK Hynix εφάρμοσε καινοτόμες τεχνολογίες, όπως η τεχνολογία υπερ-ομοιογενούς κάθετης χάραξης, η τεχνολογία σχηματισμού κυψελίδων λεπτού υμενίου υψηλής αξιοπιστίας και η εξαιρετικά γρήγορη σχεδίαση κυκλώματος χαμηλής ισχύος, στο δικό της 4D Τεχνολογία NAND. Το νέο προϊόν παρέχει την υψηλότερη πυκνότητα 1 Tb για το TLC NAND Flash. Ορισμένες εταιρείες, συμπεριλαμβανομένης της SK Hynix, έχουν αναπτύξει προϊόντα NAND 1 Tb QLC (Quad-Level Cell), αλλά η SK Hynix είναι η πρώτη που εμπορεύεται το 1 Tb TLC NAND Flash. Η TLC αντιπροσωπεύει περισσότερο από το 85% της αγοράς NAND Flash με άριστη απόδοση και αξιοπιστία.

Το μικρό μέγεθος τσιπ, το μεγαλύτερο πλεονέκτημα του 4D NAND της εταιρείας, επέτρεψε στη SK Hynix να πραγματοποιήσει μνήμη NAND Flash εξαιρετικά υψηλής πυκνότητας. Η εταιρεία ανακοίνωσε την καινοτόμο 4D NAND τον Οκτώβριο του 2018, η οποία συνδυάζει το 3D CTF (Charge Trap Flash) με την τεχνολογία PUC (Peri Under Cell).

Με την ίδια πλατφόρμα 4D και τη βελτιστοποίηση της διαδικασίας, η SK Hynix κατάφερε να μειώσει τον συνολικό αριθμό των διαδικασιών κατασκευής κατά 5% ενώ στοιβάζοντας 32 ακόμη στρώματα στο υπάρχον NAND 96-Layer. Ως αποτέλεσμα, το κόστος επένδυσης για τη μετάβαση από NAND 96-Layer σε 128-Layer έχει μειωθεί κατά 60% σε σύγκριση με την προηγούμενη μετανάστευση τεχνολογίας, ενισχύοντας σημαντικά την αποδοτικότητα των επενδύσεων.

Το NAND 128-Layer 1 Tb 4D αυξάνει την παραγωγικότητα των δυφίων κατά 40% σε σύγκριση με το 96-Layer 4D NAND της Εταιρείας.

Η SK Hynix θα ξεκινήσει τη μεταφορά του Flash 4D NAND flash από το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους, συνεχίζοντας να αναπτύσσει διάφορες λύσεις.

Με την αρχιτεκτονική των τεσσάρων επιπέδων σε ένα ενιαίο τσιπ, το προϊόν αυτό επιτυγχάνει ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων 1.400 Mbps (Megabits / sec) στα 1.2 V, επιτρέποντας λύσεις κινητής τηλεφωνίας υψηλής απόδοσης και χαμηλής ισχύος και enterprise SSD.
asus z270

Η SK Hynix σχεδιάζει να αναπτύξει το προϊόν επόμενης γενιάς UFS 3.1 το πρώτο εξάμηνο του επόμενου έτους για τους κυριότερους πελάτες smartphone. Με το NAND Flash 128-Layer 1 Tb, ο αριθμός των τσιπ NAND που είναι απαραίτητος για ένα προϊόν 1 TB (Terabyte), που είναι σήμερα η μεγαλύτερη χωρητικότητα για ένα έξυπνο τηλέφωνο, θα μειωθεί κατά το ήμισυ, σε σύγκριση με το NAND 512 Gb. θα παρέχει στους πελάτες μια κινητή λύση με 20% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας σε συσκευασία 1 mm.

Η Εταιρεία σκοπεύει επίσης να ξεκινήσει μαζική παραγωγή ενός SSD 2 TB πελάτη με εσωτερικό ελεγκτή και λογισμικό το πρώτο εξάμηνο του επόμενου έτους. 16 TB και 32 TB Express Non-volatile Memory Express (NVMe) SSD για τα κέντρα δεδομένων cloud θα κυκλοφορήσουν και το επόμενο έτος.

«Η SK Hynix έχει εξασφαλίσει τη θεμελιώδη ανταγωνιστικότητα της επιχείρησής της NAND με αυτό το NAND 128-Layer 4D», δήλωσε ο εκτελεστικός αντιπρόεδρος Jong Hoon Oh, επικεφαλής της Global Sales & Marketing. «Με αυτό το προϊόν, με την καλύτερη στοίβαξη και πυκνότητα της βιομηχανίας, θα προσφέρουμε στους πελάτες μας μια ποικιλία λύσεων την κατάλληλη στιγμή».

SK Hynix is developing the next-generation 176-Layer 4D NAND Flash, and will continue to strengthen the competitiveness of its NAND business through technological advantages.